美国给三星“开后门”：挤压中国本土芯片企业

作者｜张睿

编辑｜康晓

出品｜小满工作室 · 深网

就在美国给三星电子、SK 海力士的出口豁免权即将到之际，誓要遏制中国半导体发展的美国再次给二者 " 开了后门 "。

10 月 9 日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和 SK 海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。这意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK 海力士可以向其中国工厂供应含美国技术的半导体设备。

三星电子和 SK 海力士是存储芯片巨头，提供了全球近 70% 的 DRAM（动态半导体存储器）芯片和 50% 的 NAND Flash（闪存）芯片，而其在中国开设的工厂贡献了近一半的产能。

数据显示，三星在西安开设的 NAND 闪存制造工厂占据公司四成的产能，SK 海力士在无锡开设的 DRAM 芯片制造厂约占公司 DRAM 芯片产能的一半，全球产量 15%。

在存储芯片的生产制造中，技术先进的极高深宽比刻蚀设备至关重要。

由于光刻技术受波长限制，仅凭光刻机很难满足 5 纳米以及更先进的制程工艺，需要通过反复的刻蚀来实现更小的尺寸。而全球高端刻蚀设备则被美国的泛林、应用材料和日本的东京电子牢牢掌握。

与三星电子、SK 海力士中国工厂不再受先进半导体设备牵制形成反差的是，长江存储等中国存储厂商还在面临 " 新设备买不了，老设备没人修 " 的挑战。

2022 年底，成立仅 6 年的长江存储先于三星、美光、SK 海力士完成了 232 层 3D NAND 闪存的量产。当年 12 月，美国就将长江存储列入实体清单，禁止美国企业向其出口 128 层及以上 NAND 闪存所需的设备、材料和软件。

自此，长江存储空有 232 层闪存技术，却无力进一步扩产，刚刚有点起色的本土存储企业可能被拉大技术差距。

一面是给中国本土储存芯片企业禁令，遏制中国大陆芯片产业的发展；一面是给三星、SK 海力士 " 开后门 "，挤压中国存储企业的市场份额，美国的 " 阳谋 " 被一步步揭开。

库存高企、亏损扩大，三星海力士急需 " 政策救场 "

韩国总统办公室通报的时间节点耐人寻味。一是近半年三星电子和 SK 海力士的半导体库存大幅增加；二是曾被三星和 SK 海力士奉为 " 摇钱树 " 的半导体业务遭遇近十多年来最大亏损。

据二者的上半年财报显示，截至 6 月底，三星半导体业务 DS 部门库存金额为 33.6896 万亿韩元，同比 2022 年底时的库存金额增长 15.9%；SK 海力士的半导体库存金额为 16.4202 万亿韩元，同比增长 4.8%。

在价格方面，据 TrendForce 数据显示，2022 年第三季度和第四季度，DRAM 平均价格的跌幅分别为 31.4% 和 34.4%。今年二季度 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。去年下半年，NAND Flash 均价跌幅均超过 20%，今年二季度均价续跌 10%～15%。

由于存储芯片价格暴跌和库存价值大幅下降，三星芯片业务和 SK 海力士都遭遇了十多年以来的最大亏损。

2023 年第一季度，三星电子芯片业务营业亏损 4.58 万亿韩元，这也是三星半导体业务 14 年来的首次亏损。2023 年第二季度，三星芯片业务依然亏损 4.36 万亿韩元。

SK 海力士也于 2022 财年第 4 季度创下 10 年来最大亏损。该季度（截至 2022 年 12 月 31 日），SK 海力士营业亏损为 1.7012 万亿韩元，净亏损为 3.5235 万亿韩元。2023 年第二季度，SK 海力士营业亏损额达 2.8821 万亿韩元，净亏损额达 2.9879 万亿韩元。

SK 海力士等韩国存储企业从去年下半年开始转盈为亏，有智能手机和个人电脑市场需求疲软的影响，更重要的是，随着长江存储等中国本土企业工艺的提升，手机及电脑头部企业在选择上游闪存供应商时有了更多的选择，这直接影响了三星和 SK 海力士的存储芯片订单。

一个值得关注的细节是，2022 年下半年，有消息传出，苹果有意将长江存储纳入其 iPhone 手机存储芯片供应商体系，长江存储自研发的 128 层 3D NAND 芯片已经通过了苹果的测试。

站在苹果等手机厂商的立场看，三星手机本身就是全球第一大手机厂商，和自己存在竞争关系，选择长江存储的芯片不仅可以分摊过度依赖 SK 海力士等闪存芯片的风险，还可以有压价的便利。

但苹果的这一想法很快被美国商务部按下了。2022 年 12 月 15 日，美国商务部将包括长江存储、寒武纪、上海微电子装备等在内的 36 家中国科技公司列入了 " 实体清单 "。迫于压力，苹果取消了长江存储的订单。

长江存储被制裁，导致储存芯片供给侧产能下降，三星、SK 海力士等开始趁机涨价。

据 DigiTimes 去年 12 月报道，在长江存储被制裁后，三星马上就将其 3D NAND Flash 的报价提高了 10%。而据《韩国经济日报》报道，日前三星已与小米、OPPO、谷歌等智能手机品牌客户签署了 DRAM 和 NAND Flash 芯片供应协议，价格比现有的合约价高出了 10%～20%。

一面是给中国本土储存芯片企业禁令，遏制中国大陆芯片产业的发展；一面给三星、SK 海力士开后门，挤压中国存储企业的市场份额，美国政府的 " 阳谋 " 被一步步揭开。

堵不如疏，本土存储企业或错失 " 以战养战 " 的窗口期

为了打压中国大陆半导体产业的发展，美国 2022 年曾联合日韩、台积电，组建了 " 芯片四方联盟 "（Chip 4），以通过控制韩国以及中国台湾地区的芯片产能和原材料供应，来削弱中国大陆半导体芯片的快速发展。

但美国的这种 " 围追堵截 " 在 2023 年 8 月 29 日出现了松动和裂痕。

8 月 29 日中午，华为 Mate 60 系列带着 5G 速度回归，这意味着，简单粗暴的制裁并不能阻止中国芯片产业的发展，反而给了中国本土芯片产业链韬光养晦、以战养战的机会。

当粗暴的制裁无法阻止中国芯片产业发展时，在中国取得进展的芯片领域局部放开，通过海外半导体巨头抢占市场份额并形成垄断，就成了另一种 " 曲线禁令 "。美国曾靠此套路在 EDA 领域尝到甜头，受此影响，中国 EDA 软件产业曾陷入长达 15 年的沉寂期。

EDA 软件是芯片设计必需的软件工具，有 " 芯片之母 " 之称。目前，全球芯片设计的高端软件 EDA 基本被新思科技（Synopsys）、Cadence、Mentor 三大公司所垄断。

事实上，中国很早就意识到 EDA 软件在半导体产业里的重要性，并从 1986 年开始加大对中国 EDA 事业的扶持。当年 7 月，电子工业部在北京、上海、无锡建立 3 个集成电路设计中心。

据《工业软件简史》记载，彼时，巴黎统筹委员会（简称 " 巴统 "）正对中国实施 EDA 软件封锁。在无法购得先进工具的情况下，中国的 IC 设计很难发展。

1988 年，国家计划委员会设立了 "ICCAD Ⅲ级系统开发 " 专项，由北京集成电路设计中心牵头攻关，这个Ⅲ级系统被命名为 " 熊猫系统 "。10 年后的 1998 年，熊猫 2000 系统在第 35 次设计自动化会议 ( DAC ) 上展出，走上国际展台。

虽然与国外商业 EDA 软件相比，当时中国 EDA 软件还有五年左右的差距，但熊猫系统的发布，让中国 EDA 事业找到了一个突破口。

如果按照既定的发展路径，随着熊猫系统在市场的普及，中国的 EDA 产业会在全球占有一席之地。但后期随着 " 巴统 " 解散、封锁解除，国际 EDA 软件巨头 Cadence 和 Synopsys（新思）等凭借先进技术和颇占优势的价格快速抢占了中国市场。

" 在当时的业界，‘造不如买，买不如租’的思维占据了上风。从 1994 年到 2008 年，中国的 EDA 软件产业发展陷入了长达十五年的沉寂。这十五年，国外的 EDA 软件厂商正在进行着‘大鱼吃小鱼’的激烈兼并，是 EDA 软件从自由竞争走向寡头垄断的时期，而中国 EDA 软件则错失了在激烈竞争中以战养战的机会。"《工业软件简史》的作者林雪萍如此评价。

历史不会简单重复，但往往压着相同韵脚。

随着荷兰 9 月宣布阿斯麦将继续向中国市场提供光刻机设备（断供的时间将推迟至 2024 年），以及三星电子、SK 海力士获得无限期豁免权，国产 EDA 软件的发展路径会不会在国产存储芯片领域上演，本土存储企业会不会错失 " 以战养战 " 的窗口期，这都是值得思考的问题。

曾在存储市场打败日本，三星再度祭出 " 反周期大刀 "

眼下看，三星电子和 SK 海力士是此次事件的最终受益者。作为存储器老大，三星电子的目的只有抢占中国巨大的半导体市场这么简单吗？

把时间拨回上个世纪 80 年代，抢占了全球大部分内存市场的公司并不来自韩国，而是日本。有数据显示，1985 年，日本占领了全球内存 60% 以上的市场。

存储芯片产业具有周期性。生产存储芯片不仅需要数年时间建厂，还要跟随内存制程的提升不断投入资金研发和生产。

上个世纪 80 年代，从美光手中拿到 256K 内存技术授权的三星，开始在存储领域奋起直追，试图缩小与日本的技术差距。

与日本存储企业相比，三星的优势之一是有政府资助。在政府资金的加持下，三星多次祭出 " 反周期大刀 "，在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资时逆势扩张，最后通过规模效应来降低成本，逼着对手退出市场，甚至破产。

经过存储行业周期性的洗礼，全球内存厂商从 20 世纪 80 年代的四五十家，至 2008 年仅剩三星、SK 海力士、德国的奇梦达（Qimonda）、美国的美光（Micron Technology）和日本的尔必达这主要的 5 家。

在此后的 10 多年中，奇梦达和尔必达也没能抗住存储芯片的周期性调整，先后破产。2009 年奇梦达宣布破产；2012 年，尔必达也因为产品价格下滑及公司资金周转困难申请破产。

时至今日，三星、SK 海力士、美光这三家公司牢牢掌控了存储芯片市场。

现在，存储芯片产业正处于周期底部，美国又给三星和 SK 海力士 " 开后门 "，三星或将再度开展反周期操作。据电子时报报道，为了巩固其在 NAND 闪存市场的领先地位，三星电子计划再次采用双堆叠技术来制造超过 300 层的 3D NAND，旨在以生产成本优势超越竞争对手。