三星LLW DRAM亮相 Galaxy S24新机有望率先采用

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三星LLW DRAM亮相 Galaxy S24新机有望率先采用

热搜大全 2023-12-01

【太平洋科技资讯】11 月 30 日消息,今日,全球科技巨头三星公司宣布,为满足设备端本地运行人工智能 ( AI ) 的需求,他们特别研发了一种新型动态随机存取内存 ( DRAM ) ,即低延迟宽带输入输出 ( LLW ) DRAM。这种新型 DRAM 的性能优于现有的低功耗双数据速率 ( LPDDR ) 解决方案。

三星LLW DRAM亮相 Galaxy S24新机有望率先采用

据了解,LLW DRAM 的独特之处在于其通过垂直集成存储器和逻辑电路,实现了更高的效率和延迟。这种技术的应用,将为设备端本地运行 AI 提供更强大的支持。据官方介绍,LLW DRAM 非常适用于智能手机、笔记本电脑和虚拟现实 ( VR ) 头显等设备。

据悉,在今年年初的 Tech Day 上,三星首次向公众展示了 LLW DRAM。随后,在 Memory Tech Day 上,三星再次展示了其 LPDDR5X CAMM2 解决方案,进一步展示了三星在内存技术领域的领先地位。

值得注意的是,该介绍视频中还展示了一款集成了 LLW DRAM 的手机,与当前一代三星设备非常相似,预计可能是即将推出的 Galaxy S24 系列。这似乎预示着,未来的 Galaxy 设备可能会采用相同的解决方案,从而提高设备的性能。

实际上,三星并非首家实施 LLW 技术的公司。苹果公司的 Vision Pro 头显已经使用了扇出晶圆级封装 ( FOWLP ) 技术,将 R1 芯片与 LLW DRAM 封装在一起,进一步提升了设备的性能。

【知多 D】

据韩联社,三星电子预计将在第三季度降低芯片赤字,这主要归功于芯片产量的持续削减。KB Securities 分析师 Kim Dong-won 预测,三星电子 Q3 持续减产,DS 部门亏损将达 4 万亿韩元。

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