快科技 12 月 21 日消息,集邦咨询的报告显示,ASML 阿斯麦将在 2025 年生产最多 10 台新一代高 NA ( 数值孔径 ) EUV 极紫外光刻机,其中 Intel 就定了多达 6 台。
同时,三星星也在积极角逐新光刻机,台积电感觉压力巨大。

ASML 9 月份曾宣布,将在今年底发货第一台高 NA EUV 光刻机,型号 "Twinscan EXE:5000",从 0.33 做到 0.55,光刻分辨率缩小到 8nm,可制造 2nm 工艺乃至更先进的芯片。
ASML 没有公布第一台高 NA EUV 光刻机的客户,但业界普遍认为正是 Intel。
Intel 最初就计划利用新光刻机投产 Intel 18A 工艺,但因为等不及,只能改用已有的 0.33 NA NXE:3600D/3800E 叠加双重曝光。

ASML 明年量产的高 NA EUV 光刻机,将是改进型的 Twinscan EXE:5200,支持大规模量产。
未来,ASML 将把年产量进一步提高到 20 台左右。
这种新光刻机的成本和价格没有公开,猜测至少 3 亿美元,甚至可能达到或超过 4 亿美元,也就是逼近人民币 30 亿元。
目前的低 NA EUV 光刻机需要 2 亿美元左右。


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