快科技 1 月 6 日消息,据媒体爆料,苹果 M3 Ultra 新品会在今年年中登场,这颗芯片首次采用台积电 N3E 工艺节点。
据了解,已经上市的 M3、M3 Pro 和 M3 Max 等芯片采用台积电 N3B 工艺,A17 Pro 也是 N3B 工艺。
而接下来要发布的 M3 Ultra 以及 A18 系列芯片都将会采用 N3E 工艺节点。
资料显示,台积电规划了多达五种 3nm 工艺,分别是 N3B、N3E、N3P、N3S 和 N3X,其中 N3B 是其首个 3nm 节点,已经量产,N3E 是 N3B 的增强版,但从台积电已经披露的技术资料来看,栅极间距并不如 N3B。
不仅如此,第一代 3nm N3B 成本高、良率低,只有 70%-80% 之间,这意味着芯片制造过程中有至少 20% 的产品存在缺陷,而 N3E 良率高、成本低,性能会略低于 N3B。
业内人士指出,台积电 N3B 的良率和金属堆叠性能很差,基于这些原因,N3B 不会成为台积电的主要节点,相比之下,N3E 将使用更少的 EUV 光刻层,从 25 层缩减到 21 层,投产难度更低,良率也能更高,成本自然得以下降,但是晶体管密度会降低。
总而言之,M3 Ultra 将是苹果史上最强悍的 3nm 芯片,搭载 M3 Ultra 的第一款设备是苹果 Mac Studio,新品也将会在今年年中登场,值得期待。

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