快科技 2 月 4 日消息,据媒体报道,SK 海力士表示,生成式 AI 市场预计将以每年 35% 的速度增长,而 SK 海力士有望在 2026 年大规模生产下一代 HBM4。
据了解,HBM 类产品前后经过了 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的开发,其中 HBM3E 是 HBM3 的扩展(Extended)版本,而 HBM4 将是第六代产品。

HBM4 堆栈将改变自 2015 年以来 1024 位接口的设计,采用 2048 位接口,而位宽翻倍也是是 HBM 内存技术推出后最大的变化。
目前单个 HBM3E 堆栈的数据传输速率为 9.6GT/s,理论峰值带宽为 1.2TB/s,而由六个堆栈组成的内存子系统的带宽则高达 7.2TB/s。
出于可靠性和功耗方面的考虑,一般速度不会达到最高的理论带宽,像 H200 的峰值带宽为 4.8TB/s。
此外,HBM4 在堆栈的层数上也有所变化,除了首批的 12 层垂直堆叠,预计 2027 年存储器厂商还会带来 16 层垂直堆叠。

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